[发明专利]一种聚酰亚胺刻蚀方法

权利要求书

1.一种聚酰亚胺刻蚀方法，其特征在于，包括：

S1、向反应腔室(100)中通入刻蚀气体，使所述反应腔室(100)的压力处于稳定状态；

S2、同时开启上射频电极(110)和下射频电极(120)，电离所述刻蚀气体，对晶圆(200)上的聚酰亚胺层进行第一预设工艺时间的刻蚀；

S3、关闭所述上射频电极(110)和所述下射频电极(120)，停止通入所述刻蚀气体，向所述反应腔室(100)中通入惰性气体；

S4、重新开启所述下射频电极(120)，电离所述惰性气体，对所述聚酰亚胺层进行第二预设工艺时间的刻蚀，同时释放所述晶圆(200)边缘积累的电荷；

S5、关闭所述下射频电极，停止通入所述惰性气体；

循坏执行步骤S1～S5，直至循环次数达到预设的总循环次数。

2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺刻蚀方法，其特征在于，在所述步骤S5之后，还包括：

S6、再次向所述反应腔室(100)通入所述刻蚀气体，重新开启所述上射频电极(110)，并持续第三预设工艺时间，以电离所述刻蚀气体；

循环执行步骤S2～S6，直至循环次数达到所述预设的总循环次数。

3.根据权利要求1或2所述的聚酰亚胺刻蚀方法，其特征在于，在所述步骤S1中，向反应腔室(100)中通入所述刻蚀气体的同时，向所述反应腔室(100)中通入掺杂气体。

4.根据权利要求3所述的聚酰亚胺刻蚀方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述反应腔室(100)的压力为150mT～750mT，所述刻蚀气体包括氧气或氟基气体，所述刻蚀气体的流量为200sccm～3000sccm，所述掺杂气体包括惰性气体和/或氟基气体，所述掺杂气体的流量0sccm～200sccm。

5.根据权利要求1或2所述的聚酰亚胺刻蚀方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述刻蚀气体包括氧气或氟基气体，所述刻蚀气体的流量为200sccm～3000sccmm，所述第一预设工艺时间为0.1s～120s，所述上射频电极(110)的功率为500W～2500W，所述下射频电极(120)的功率50W～400W。

6.根据权利要求1或2所述的聚酰亚胺刻蚀方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述惰性气体包括氦气、氮气和/或氩气，所述惰性气体的流量200sccm～1000sccm，所述反应腔室(100)的压力为130mT～750mT。

7.根据权利要求1或2所述的聚酰亚胺刻蚀方法，其特征在于，在所述步骤S4中，所述下射频电极(120)的功率为50W～400W，所述第二预设工艺时间为0.1s～60s。

8.根据权利要求2所述的聚酰亚胺刻蚀方法，其特征在于，在所述步骤S6中，所述刻蚀气体包括氧气或氟基气体，所述刻蚀气体的流量为200sccm～1000sccm，所述反应腔室的压力为150mT～750mT，所述上射频电极(110)的功率为500W～2500W，所述第三预设工艺时间0.1s～60s。

9.根据权利要求1或2所述的聚酰亚胺刻蚀方法，其特征在于，所述第一预设工艺时间小于所述第二预设工艺时间。