[发明专利]存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在审

专利信息
申请号: 202010849383.5 申请日: 2020-08-21
公开(公告)号: CN112436013A 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 徐丽芳;I·V·恰雷;J·B·德胡特;李健;刘海涛;P·泰萨里欧 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/11524 分类号: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本申请涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔开的存储器块,所述存储器块分别包括垂直堆叠,所述垂直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。存储器单元的有效沟道材料串延伸穿过绝缘层和导电层。横向间隔开的存储器块中的有效沟道材料串包括存储器平面的一部分。高度上延伸的壁在横向地介于横向紧邻的存储器块之间的存储器平面中,并且其完全包围在存储器平面中横向地介于横向紧邻的存储器块之间的岛。公开了包括方法的其他实施例。
搜索关键词: 存储器 阵列 用于 形成 包括 单元 方法
【主权项】:
暂无信息
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