[发明专利]具有独立调谐的阈值电压的场效应晶体管在审
| 申请号： | 202010847781.3 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN112542456A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 何肖丽;刘兵武;褚涛 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有独立调谐的阈值电压的场效应晶体管，揭示场效应晶体管的结构以及形成场效应晶体管的结构的方法。半导体层包括第一沟道区及第二沟道区，第一场效应晶体管具有位于该第一沟道区上方的第一栅极介电层，且第二场效应晶体管具有位于该第二沟道区上方的第二栅极介电层。该第一及第二沟道区分别由本征半导体材料的未掺杂部分组成，该第一栅极介电层包含第一原子浓度的功函数金属，且该第二栅极介电层包含大于该第一栅极介电层中的该功函数金属的该第一原子浓度的第二原子浓度的该功函数金属。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 独立 调谐 阈值 电压 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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