[发明专利]LED外延层及其电流扩展层的生长方法、LED芯片有效
| 申请号： | 202010845721.8 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113451451B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 周毅;黄嘉宏;黄国栋;杨顺贵;林雅雯 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 李发兵 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种LED外延层及其电流扩展层的生长方法、LED芯片，在利用氮源与基础源生长电流扩展层时，通过掺杂，利用掺杂源的原子对基础源中的铝原子和/或镓原子解吸附，提升电流扩展层的晶体质量。而且控制基础源与掺杂源交替通入，这样可以有助于原子横向转移扩散通道的形成，使基础源原子在基础晶体层表面具有更大的扩散长度，增强了电流扩展层中二维层状生长特征。进一步地，横向生长速度与纵向生长速度比值得以增大，这样可以使得刃位错发生弯曲甚至湮灭，进而降低刃位错密度，提升晶体质量。同时，交替通源保证了掺杂源的原子有足够的时间吸附在已生长的基础晶体层表面，并向基础晶体层内部扩散，最终均匀分布在基础晶体层内，提升解吸附概率。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 及其 电流 扩展 生长 方法 芯片 | ||
【主权项】：
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