[发明专利]一种在线清洗石墨和喷头的GaN薄膜外延生长方法

摘要

本发明公开了一种在线清洗石墨和喷头的GaN薄膜外延生长方法，是在MOCVD设备中进行的，包括衬底处理、缓冲层生长、GaN薄膜生长，特征是：在GaN薄膜外延生长时在含H2的气氛下通入金属有机物：三甲基铟（TMIn）。TMIn在GaN薄膜生长过程中可以分解反应室里石墨和喷头上沉积的GaN材料，加快GaN薄膜的生长速率，提高有机源的利用率，同时生长结束之后石墨和喷头干净，增加MOCVD生长的稳定性、重复性，并由此减少清理石墨和喷头的工作量，大幅降低生长成本。高温下TMIn在晶格中不容易形成In‑N键，保证了GaN薄膜的晶格结构的完整性。