[发明专利]一种在线清洗石墨和喷头的GaN薄膜外延生长方法在审
| 申请号： | 202010829982.0 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN111962044A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 王小兰;张建立;高江东;郑畅达;全知觉;潘拴;方芳;曹盛;徐龙权;江风益 | 申请（专利权）人： | 王小兰;张建立;高江东;郑畅达;全知觉;潘拴;方芳;曹盛;徐龙权;江风益 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/44;C23C16/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330029 江西省南昌市高新*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 在线 清洗 石墨 喷头 gan 薄膜 外延 生长 方法 | ||
1.一种在线清洗石墨和喷头的GaN薄膜外延生长方法，是在MOCVD设备中进行的，包括衬底处理、缓冲层生长、GaN薄膜生长，其中：通过三甲基镓或三乙基镓和氨气发生反应生长GaN薄膜；其特征在于：在GaN薄膜生长阶段通入作为石墨和喷头清洗剂的三甲基铟，GaN薄膜生长阶段的载气为H2或H2和N2的混合气体。
2.根据权利要求1所述的在线清洗石墨和喷头的GaN薄膜外延生长方法，其特征在于：衬底处理的时候，温度为1100℃-1300℃，衬底处理的载气为H2、N2的一种或两种的混合气体。
3.根据权利要求1所述的在线清洗石墨和喷头的GaN薄膜外延生长方法，其特征在于：生长缓冲层时通入NH3和 TMAl生长AlN缓冲层，或者通入NH3和TMGa生长GaN缓冲层，生长缓冲层的载气为H2、N2的一种或两种的混合气体，生长温度为500℃-1000℃。
4.根据权利要求1所述的在线清洗石墨和喷头的GaN薄膜外延生长方法，其特征在于：在GaN薄膜生长阶段，生长温度为1100℃-1200℃。
5.根据权利要求1所述的在线清洗石墨和喷头的GaN薄膜外延生长方法，其特征在于：在GaN薄膜生长阶段，系统载气为H2或者H2和N2的混合气体。
6.根据权利要求1所述的在线清洗石墨和喷头的GaN薄膜外延生长方法，其特征在于：在GaN薄膜生长阶段，TMIn与TMGa或者TEGa的摩尔比范围为0.005-0.1，V族源与III族源的摩尔比范围为1000-8000。
7.根据权利要求1所述的在线清洗石墨和喷头的GaN薄膜外延生长方法，其特征在于：所述衬底为蓝宝石、碳化硅、硅或GaN中的一种。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
