[发明专利]嵌入量子线的超晶格材料及其制备方法、红外波段发光材料和探测器

摘要

本发明提供一种嵌入量子线的超晶格材料及其制备方法、红外波段发光材料和探测器。嵌入量子线的超晶格材料包括层叠设置的至少一个InAs/GaSb层和至少一个单一物质层；InAs/GaSb层包括InAs部分和GaSb部分，单一物质层包括InAs或GaSb；InAs部分和GaSb部分交替排列且沿其排列方向的宽度不同。嵌入量子线的超晶格材料的制备方法：按照结构依次在衬底上生长InAs/GaSb层和单一物质层。红外波段发光材料，包括嵌入量子线的超晶格材料。探测器，包括红外波段发光材料。本申请提供的嵌入量子线的超晶格材料，将量子线引入II型超晶格中形成线‑超晶格复合结构，可提高器件工作温度，提升材料光电性能。