[发明专利]晶圆级芯片封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010819073.9 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN111785647A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 殷晨光;陈彦亨 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆级芯片封装结构及其制备方法，制备方法包括以下步骤：1)提供第一支撑衬底；2)在第一支撑衬底上放置第一芯片，并覆盖第一封装层；3)将带有第一芯片的第一封装层从第一支撑衬底取下，并将第一封装层中远离第一芯片的一面固定于第二支撑衬底上；4)在第一封装层中靠近第一芯片的一面上覆盖第二封装层；5)在第二封装层上形成电性连接第一芯片的重新布线层；6)在重新布线层上电性连接第二芯片。本发明通过引入第一封装层和第二封装层，获得了更稳定的制程特性，改善了封装结构的翘曲度，且制程结构整合性高；此外，通过引入多层结构还减小了封装结构的面积尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 芯片 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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