[发明专利]OTP器件的形成方法及器件

摘要

本申请公开了一种OTP器件的形成方法及器件，该方法包括：提供一衬底，衬底上形成有选择栅氧化层和浮栅氧化层，选择栅氧化层上形成有选择栅，浮栅氧化层上形成有浮栅；沉积第一介质层，第一介质层覆盖衬底、选择栅氧化层、选择栅、浮栅氧化层和浮栅；去除形成于选择栅和浮栅两侧的衬底上，以及选择栅顶端的第一介质层；在选择栅和浮栅两侧，以及选择栅顶端形成金属硅化物层；沉积硬掩模层，该硬掩模层的应力为张应力。本申请通过在形成浮栅上的第一介质层后，沉积应力为张应力的硬掩模层，解决了相关技术中采用应力为压应力的氮化硅层作为硬掩模层容易在浮栅上形成电荷陷阱所导致的OTP器件失效率高、可靠性差的问题。