[发明专利]其中有多个磁性层的磁存储器件在审
| 申请号： | 202010816531.3 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN112397640A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 李成喆;皮雄焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁存储器件包括在第一方向上延伸的第一磁性层、在第一磁性层上并与第一磁性层平行地延伸的第二磁性层、以及在第一磁性层和第二磁性层之间延伸的导电层。第一磁性层包括第一区域，该第一区域具有沿第一方向在第一旋转方向上取向的磁矩。第二磁性层包括第二区域，该第二区域具有沿第一方向在第二旋转方向上取向的磁矩。第二旋转方向不同于第一旋转方向。 | ||
| 搜索关键词： | 其中 有多个 磁性 磁存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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