[发明专利]一种外延薄膜晶圆级剥离方法及其装置

摘要

本发明涉及外延薄膜晶圆级剥离方法及其装置，其包括使用外延方法外延生长未掺杂氮化镓层、重掺杂氮化镓牺牲层和目标层，结合特定方式的电化学剥离方法实现了晶圆级外延薄膜的完整剥离，并且脱离后的外延衬底能够循环使用，有效地降低氮化物的生长成本，实现绿色外延。使用该电化学剥离的方式，将外延薄膜完整剥离并能够转移至目标衬底上，既可实现Si基集成电路、柔性器件等的制备，又可以释放其生长过程中产生的固有内应力，提高器件整体的性能与用途。本发明的剥离方法操作简单，具有较高的可重复性，制备成本低，在氮化物光电器件的研制方面有着广泛的应用前景。