[发明专利]成膜方法和成膜装置在审

专利信息
申请号: 202010811945.7 申请日: 2020-08-13
公开(公告)号: CN112410753A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 小川淳;吹上纪明 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: C23C16/34 分类号: C23C16/34;C23C16/455
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种成膜装置和成膜方法,能够在以在形成于基板的表面的凹部中埋入氮化硅膜的方式进行成膜时抑制生产率的下降,并且抑制在进行该氮化硅膜的成膜后进行的不必要的蚀刻。所述成膜方法实施以下工序:在旋转台以第一转速进行旋转的期间,对第一区域进行原料气体的供给并且以第一流量对第二区域进行所述氨气的供给,来在凹部内进行第一氮化硅膜的成膜;以及在旋转台以比第一转速低的第二转速旋转的期间,对第一区域供给原料气体并且以比第一流量小的第二流量对第二区域进行的所述氨气的供给,来在凹部内以层叠于第一氮化硅膜的方式进行第二氮化硅膜的成膜。
搜索关键词: 方法 装置
【主权项】:
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