[发明专利]成膜方法和成膜装置

说明书

本发明提供一种成膜装置和成膜方法，能够在以在形成于基板的表面的凹部中埋入氮化硅膜的方式进行成膜时抑制生产率的下降，并且抑制在进行该氮化硅膜的成膜后进行的不必要的蚀刻。所述成膜方法实施以下工序：在旋转台以第一转速进行旋转的期间，对第一区域进行原料气体的供给并且以第一流量对第二区域进行所述氨气的供给，来在凹部内进行第一氮化硅膜的成膜；以及在旋转台以比第一转速低的第二转速旋转的期间，对第一区域供给原料气体并且以比第一流量小的第二流量对第二区域进行的所述氨气的供给，来在凹部内以层叠于第一氮化硅膜的方式进行第二氮化硅膜的成膜。

技术领域

本公开涉及一种成膜方法和成膜装置。

背景技术

在半导体制造工序中，有时以埋入到形成于作为基板的半导体晶圆(下面称作晶圆)的表面的凹部内的方式来进行SiN(氮化硅)膜的成膜。而且，作为上述的SiN膜，有时通过以向晶圆交替地供给包含硅的原料气体和等离子体化后的氨气的方式进行ALD(AtomicLayer Deposition：原子层沉积)来进行成膜。

在专利文献1中公开了一种成膜装置，其具备使被载置的晶圆公转的旋转台、向旋转台上的互不相同的区域分别供给原料气体、氨气的气体喷嘴以及使所供给的氨气等离子体化的等离子体发生器。在该成膜装置中，分别被供给原料气体、氨气的区域的气氛通过从分离气体喷嘴供给的分离气体而彼此分离，通过ALD以在晶圆表面的凹部内埋入SiN膜的方式进行成膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019-33229号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够在以向形成于基板的表面的凹部埋入氮化硅膜的方式进行成膜时抑制生产率的下降并且能够抑制在进行该氮化硅膜的成膜后进行的不必要的蚀刻的技术。

用于解决问题的方案

本公开的成膜方法包括以下工序：

使旋转台旋转，来使载置于该旋转台的在表面形成有凹部的基板公转；

对所述旋转台上的第一区域供给包含硅的原料气体；

对所述旋转台上的位于在该旋转台的旋转方向上相对于所述第一区域分离的位置并且气氛被进行了划分的第二区域供给氨气；

在所述旋转台以第一转速旋转的期间，对所述第一区域进行所述原料气体的供给并且以第一流量向所述第二区域进行所述氨气的供给，来在所述凹部内进行第一氮化硅膜的成膜；以及

在所述旋转台以比所述第一转速低的第二转速旋转的期间，对所述第一区域进行所述原料气体的供给并且以比所述第一流量小的第二流量向所述第二区域进行所述氨气的供给，来在所述凹部内以层叠于所述第一氮化硅膜的方式进行第二氮化硅膜的成膜。

发明的效果

根据本公开，能够在以向形成于基板的表面的凹部埋入氮化硅膜的方式进行成膜时抑制生产率的下降，并且能够抑制在进行该氮化硅膜的成膜后进行的不必要的蚀刻。

附图说明

图1是本公开的一个实施方式的成膜装置的纵剖侧视图。

图2是所述成膜装置的横剖俯视图。

图3是所述喷淋头的纵剖侧视图。

图4是设置于所述成膜装置的喷淋头的仰视图。