[发明专利]成膜方法和成膜装置

权利要求书

1.一种成膜方法，包括以下工序：

使旋转台旋转，来使载置于该旋转台的在表面形成有凹部的基板公转；

对所述旋转台上的第一区域供给包含硅的原料气体；

对所述旋转台上的位于在该旋转台的旋转方向上相对于所述第一区域分离的位置并且气氛被进行了划分的第二区域供给氨气；

在所述旋转台以第一转速旋转的期间，对所述第一区域进行所述原料气体的供给并且以第一流量对所述第二区域进行所述氨气的供给，来在所述凹部内进行第一氮化硅膜的成膜；以及

在所述旋转台以比所述第一转速低的第二转速旋转的期间，对所述第一区域进行所述原料气体的供给并且以比所述第一流量小的第二流量对所述第二区域进行所述氨气的供给，来在所述凹部内以层叠于所述第一氮化硅膜的方式进行第二氮化硅膜的成膜。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

所述氨气为等离子体化后的氨气。

3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述第一转速为10rpm以上，所述第二转速为2rpm以下。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，

所述第二氮化硅膜的膜厚比所述第一氮化硅膜的膜厚小。

5.一种成膜装置，具备：

旋转台，其进行旋转来使所载置的在表面形成有凹部的基板公转；

原料气体供给部，其对所述旋转台上的第一区域供给包含硅的原料气体；

氨气供给部，其对所述旋转台上的位于在该旋转台的旋转方向上相对于所述第一区域分离的位置并且气氛被进行了划分的第二区域供给氨气；以及

控制部，其构成为输出控制信号，所述控制信号用于进行以下步骤：在所述旋转台以第一转速旋转的期间，对所述第一区域供给所述原料气体并且以第一流量对所述第二区域供给所述氨气，来在所述凹部内进行第一氮化硅膜的成膜；以及在所述旋转台以比所述第一转速低的第二转速旋转的期间，对所述第一区域供给所述原料气体并且以比所述第一流量小的第二流量对所述第二区域供给所述氨气，来在所述凹部内以层叠于所述第一氮化硅膜的方式进行第二氮化硅膜的成膜。