[发明专利]一种复合沟道结构的射频AlGaN/GaN器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010811911.8 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN114078966A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 冯黎;周德金;黄伟;卢红亮;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 卢泓宇 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件领域，提供了一种复合沟道结构的射频AlGaN/GaN器件，其特征在于，包括：衬底，由SiC上AlGaN/GaN制成；源电极，设置在衬底上方；漏电极，设置在衬底上方；栅电极，设置在衬底上方，位于源电极与漏电极之间；以及复合沟道，包括二维电子气沟道以及多晶硅电流沟道，其中，二维电子气沟道包括衬底的AlGaN层以及GaN层，多晶硅电流沟道包括多个长度不相等的凹陷沟道以及多晶硅层，多晶硅层设置于衬底的GaN层以及漏电极之间，凹陷沟道设置于漏电极以及二维电子气沟道之间，器件还包括掩蔽层，掩蔽层设置在凹陷沟道以及部分二维电子气沟道的AlGaN层之间，源电极包括第一金属层述栅电极包括第二金属层，漏电极包括第三金属层，多晶硅电流沟道为n型掺杂多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 沟道 结构 射频 algan gan 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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