[发明专利]非易失性半导体存储装置及其驱动方法有效
| 申请号： | 202010799544.4 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN113362873B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 滋贺秀裕;前田高志 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;H10B41/35;H10B41/20 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够提高阈值修正精度的非易失性半导体存储装置及非易失性半导体存储装置的驱动方法。本实施方式的非易失性半导体存储装置包含：第1信道层，具有第1漏极侧及第1源极侧选择晶体管以及第1存储单元晶体管；第2信道层，具有第2漏极侧及第2源极侧选择晶体管以及第2存储单元晶体管；字线，作为第1及第2存储单元晶体管的栅极电极；以及控制器；控制器在对第1存储单元晶体管执行读出动作时，在使第2漏极侧及第2源极侧选择晶体管接通并使第1漏极侧及第1源极侧选择晶体管断开的状态下，将第1电压供给到字线，此后，在使第1漏极侧及第1源极侧选择晶体管接通的状态下，将第2电压供给到字线。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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