[发明专利]一种具有P面钝化层的AlGaInN基LED制备方法

摘要

本发明公开了一种具有P面钝化层的AlGaInN基LED制备方法，在暂时衬底上依次外延生长N型AlxGayIn1‑x‑yN层，有源区和P型AlxGayIn1‑x‑yN层；在P型AlxGayIn1‑x‑yN层上制备P面钝化层；采用湿法蚀刻图案化P面钝化层，暴露出其下的AlxGayIn1‑x‑yN层，高温退火，使外延层中的H溢出至表面，并将表面还原，去除因生长P面钝化层在P型AlxGayIn1‑x‑yN层表面生成的产物，从而提高P型AlxGayIn1‑x‑yN层的导电性能；利用高浓度HCl水溶液清洗，彻底去除P型AlxGayIn1‑x‑yN层表面产物，然后在暴露的P型AlxGayIn1‑x‑yN层上制备P侧电极；制备邦定金属层，并与永久基板键合，去除暂时衬底；在N型AlxGayIn1‑x‑yN层上制备N侧电极；制备N面钝化层。本发明解决了制备P面钝化层时，P型AlxGayIn1‑x‑yN层表面发生变化，导电性变差的问题，提高了AlxGayIn1‑x‑yN基LED的可靠性。