[发明专利]氮化物功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010786618.0 | 申请日： | 2020-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN111883578A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 刘成;田野;何俊蕾;赵杰;郭德霄;刘洋;叶念慈 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 王文宾 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物功率器件及其制备方法，属于半导体技术领域。氮化物功率器件，包括：衬底，以及依次形成于衬底上的沟道层和势垒层，势垒层上局部形成有P型氮化物层，P型氮化物层上设有栅极，势垒层上设有源极和漏极，源极和漏极分别位于P型氮化物层的相对两侧，且分别与P型氮化物层间隔设置，沟道层内形成有离子注入区，且离子注入区位于P型氮化物层与漏极之间的间隔区域在沟道层上的正投影内，离子注入区内注入有负离子。本发明的目的在于提供一种氮化物功率器件及其制备方法，该氮化物功率器件具有较高击穿电压的同时，能够避免引入表面缺陷以及引入寄生电容，从而具有良好的动态特性和功率增益。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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