[发明专利]电路芯片、三维存储器以及制备三维存储器的方法

摘要

本发明提供了一种电路芯片，包括：衬底；形成于衬底的前侧上的晶体管电路，包括排布于衬底上的多个晶体管单元；位于晶体管单元之间的隔离结构，用于电隔离相邻的晶体管单元，该隔离结构包括形成于衬底中的浅沟槽隔离结构以及背侧深沟槽隔离结构，该背侧深沟槽隔离结构接触浅沟槽隔离结构，且延伸至电路芯片的背侧，其中，电路芯片的背侧与衬底的前侧相对设置，本发明提供的电路芯片通过在晶体管单元之间设置隔离结构，而使该电路芯片在其高压NMOS器件之间不会发生穿通、且其电性可以引出的前提下，其高压NMOS器件之间的间距能继续缩小，从而减小了电路芯片的尺寸。