[发明专利]栅氧的形成方法在审
| 申请号： | 202010780587.8 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN114068317A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 成鑫华;尹俊 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种栅氧的形成方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成硬质掩膜层，依次对浅沟槽形成区域的硬质掩膜层和半导体衬底进行刻蚀形成浅沟槽；步骤二、进行带倾角离子注入在浅沟槽侧面顶部注入离子形成顶角区；步骤三、在浅沟槽中填充场氧并去除硬质掩膜层；步骤四、进行热氧化在有源区的表面形成栅氧；在栅氧的热氧化过程中，顶角区中注入的离子使顶角区的热氧化速率增加，使栅氧在所述顶角区的表面的厚度增加并从而使栅氧在顶角区的具有圆化形貌。本发明能改善栅氧的形貌，从而能提高器件的击穿电压和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010780587.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型红外智慧黑板
- 下一篇：一种基于智能手机摄像头的心率变异性检测方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
