[发明专利]一种存储器的形成方法和存储器在审
| 申请号： | 202010778887.2 | 申请日： | 2020-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN114068420A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张令国;权锺完;张林涛;周贤贵;刘旭 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器的形成方法和存储器，包括：提供基底，基底中至少包括字线结构以及有源区，以及位于基底顶部表面的底介质层和位线接触层，底介质层中具有位线接触开口，位线接触开口暴露出基底中的有源区，位线接触层覆盖底介质层且填充位线接触开口；刻蚀部分位线接触层，形成不同高度的位线接触层；形成导电层，于垂直于字线结构延伸的方向上，导电层顶部表面位于不同高度；于字线结构延伸的方向上，导电层顶部表面位于不同高度；形成顶介质层；刻蚀形成分立的位线结构，通过形成位线结构中的导电层位于不同高度，增大位线结构中导电层之间的间距。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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