[发明专利]一种连续可控磁畴壁移动和钉扎的器件和方法有效

专利信息
申请号: 202010766282.1 申请日: 2020-08-03
公开(公告)号: CN112002798B 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 杨浛;施胜宾;周浩淼;邱阳;朱明敏;郁国良 申请(专利权)人: 中国计量大学
主分类号: H01L41/08 分类号: H01L41/08;H01L41/09;G11C11/14;G11C11/16;B82Y40/00
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人: 尉伟敏
地址: 310018 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种连续可控磁畴壁移动和钉扎的器件和方法,包括:压电层,由铁电材料制成,厚度为纳米级或微米级;底电极层,设置在压电层下,连接外部电源;磁性层,包括磁性纳米薄膜,紧贴在压电层上;顶电极,以栅极排列方式设置在磁性纳米薄膜两侧,连接外部电源,其中顶电极与磁性纳米薄膜之间保留一定间距。本发明的实质性效果包括:通过底电极层和顶电极对压电层施加电压,压电层产生的形变传递至磁性层,影响电极区域内磁性层的磁各向异性,进而控制其中磁畴壁的移动和钉扎,有利于提高赛道存储移动和钉扎磁畴壁的精准性,提高赛道存储的可靠性和稳定性的同时降低能量损耗。
搜索关键词: 一种 连续 可控 磁畴壁 移动 器件 方法
【主权项】:
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