[发明专利]一种横向4H-SiC MOSFET功率器件在审
| 申请号： | 202010750616.6 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN112071896A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 于浩;王珏;杭国强;李正豪;邹源 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种横向4H‑SiC MOSFET功率器件。自下而上包括：P+衬底、P‑外延层、P埋层、N‑漂移区、Pwell区、Ptop区、P+接触区、N+源区、N+漏区、二氧化硅介质层、源极、漏极和栅极；其中Ptop区分为第一Ptop区和第二Ptop区两个子区域。本发明提出的横向4H‑SiC MOSFET功率器件引入了阶梯掺杂的思想，可以有效地改善器件的电场分布，从而提高器件的击穿电压；同时P埋层可以辅助耗尽N‑漂移区，使得N‑漂移区的掺杂浓度可以更高，降低器件的特征导通电阻，提高器件的整体电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 sic mosfet 功率 器件 | ||
【主权项】：
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