[发明专利]配线形成方法、半导体装置的制造方法、及半导体装置在审
| 申请号： | 202010745028.3 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113394164A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 鈴木良市;加藤寛和 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式涉及一种配线形成方法、半导体装置的制造方法、及半导体装置。实施方式的配线形成方法中，通过将包含第1凹部及第2凹部的第1模板压抵于第1膜，而形成具有第1凸部及第2凸部的第1图案，所述第2凹部设置在所述第1凹部的底部，所述第1凸部对应于第1凹部，所述第2凸部对应于第2凹部且从第1凸部突出，由第1图案形成第1配线及通孔，所述第1配线对应于第1凸部，所述通孔对应于第2凸部且在第1配线上突出。 | ||
| 搜索关键词： | 线形 成方 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
