[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202010742008.0 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN111916541A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 胡任浩;丁杰;陆香花;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。发光层包括依次层叠在n型GaN层上的第一复合层与第二复合层。第一复合层包括多个交替层叠的第一InGaN阱层和第一GaN垒层，第二复合层包括多个交替层叠的第二InGaN阱层和第二GaN垒层。第二InGaN阱层的厚度小于第一InGaN阱层的厚度，第二GaN垒层的厚度小于第一GaN垒层的厚度。第二复合层起到应力释放的作用，第一复合层中的应力在第二复合层生长时可以部分转移至第二复合层中进行释放，减小发光层整体会积累的应力，减小压电极化效应与InGaN阱层与GaN垒层的能带发生倾斜的程度，提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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