[发明专利]真空中通过步进电机制备石墨烯生长的单晶铜衬底的方法有效
| 申请号： | 202010739250.2 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN111876703B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 万茜;顾嫣芸;陈琨 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | C22F1/08 | 分类号： | C22F1/08;C22F1/02;C21D9/46;C30B25/10;C30B25/18;C30B29/02;C30B25/16 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 仇钰莹 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了真空中通过步进电机制备石墨烯生长的单晶铜衬底的方法，属于二维半导体材料技术领域。本发明中的数控步进电机由变能程序调试控制系统V170419、蓝牙驱动系统、蓝牙串口下载线、驱动控制器、开关电源、步进驱动器、步进电机螺旋传动丝杆滑台和石英杆组成。在真空中通过数控步进电机推动石英杆使生长材料从低温区进入高温区进行退火，实现晶格变化形成单晶。在CVD真空石英管内部采用步进电机移动样品，一方面在真空中进行实验，减少了不必要的污染，提高了实验的精确性，降低了实验装置和生产设备的购置成本；另一方面不需要在每步操作后重新设定参数，简化了实验操作流程，降低人工成本的同时也避免了人为误差。 | ||
| 搜索关键词： | 空中 通过 步进 电机 制备 石墨 生长 单晶铜 衬底 方法 | ||
【主权项】：
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