[发明专利]一种鳍式场效应晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202010738403.1 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN114005755A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 李时璟;宋月春 | 申请（专利权）人： | 泉芯集成电路制造（济南）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 250101 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管及其制作方法，方法包括：提供基底结构，基底结构包括半导体衬底、位于半导体衬底一侧的至少一个鳍部及位于鳍部背离半导体衬底一侧表面的掩膜层；沿基底结构具有鳍部侧的裸露表面形成氧隔离膜；形成介质层覆盖氧隔离膜；对介质层背离半导体衬底一侧表面进行平坦化处理直至裸露掩膜层；刻蚀去除掩膜层及介质层和氧隔离膜对应去除区的部分；在介质层背离半导体衬底一侧形成跨越鳍部的栅极结构。本发明通过氧隔离膜来隔绝氧元素进入鳍部，进而改善鳍部的侧壁被氧化而降低其平整度的情况，保证制备的鳍部的侧壁的平整度高，提高了鳍式场效应晶体管的制备质量，保证鳍式场效应晶体管的性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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