[发明专利]一种半导体材料深能级瞬态谱测试系统及方法有效
| 申请号： | 202010735771.0 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN111766499B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 李兴冀;杨剑群;吕钢 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R27/26;G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473 | 代理人： | 涂杰 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体材料深能级瞬态谱测试系统及方法，涉及测试技术领域，包括：向被测半导体施加触发信号；获取被测半导体的检测电压和检测电流；根据检测电压和检测电流确定检测电容量；根据检测电流确定瞬态电流量；对检测电容量和瞬态电流量进行数据分析和数据同步，确定同时结合电容变化和电流变化的深能级瞬态谱。本发明向被测半导体施加触发信号，在测试基于电容变化的深能级瞬态谱的同时，也测试基于电流变化的深能级瞬态谱，不仅提高了测试速度，还可通过同时结合电容变化和电流变化的深能级瞬态谱进行数据对比。除此之外，通过同时获取电压、电流多方面的信息，使测试结果更为可靠准确。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 能级 瞬态 测试 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010735771.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
