[发明专利]用于原子层沉积的动态前体投配在审
| 申请号： | 202010730406.0 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112086381A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 普鲁肖塔姆·库马尔;阿德里安·拉沃伊;钱俊;康胡;伊时塔克·卡里姆;欧丰松 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C16/448;C23C16/455;C23C16/52;H01L21/02;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于原子层沉积的动态前体投配。公开了用于控制在半导体加工工具内的前体流的方法和装置。一种方法可以包括：使气体流动通过气体管线；在投配步骤之前，打开一个或多个安瓿阀，以使前体流开始从所述安瓿通过所述气体管线流向处理室；关闭所述一个或多个安瓿阀，以使所述前体停止从所述安瓿流出；在所述投配步骤开始时，打开处理室阀，以使所述前体流能进入所述处理室；以及在所述投配步骤结束时，关闭所述处理室阀，以使所述前体流停止进入所述处理室。控制器可以包括至少一个存储器和至少一个处理器，并且至少一个存储器可以存储用于控制至少一个处理器的指令以控制在半导体加工工具内的前体流。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 原子 沉积 动态 前体投配 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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