[发明专利]一种阵列基板、其制备方法及显示面板有效
申请号: | 202010730129.3 | 申请日: | 2020-07-27 |
公开(公告)号: | CN111863839B | 公开(公告)日: | 2023-09-22 |
发明(设计)人: | 宋威;赵策;崔容豪;苏同上;王明;刘宁;刘军;倪柳松 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H10K59/12;H10K59/121;H10K59/123 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 张佳 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板、其制备方法及显示面板,由于信号连接线与薄膜晶体管的有源层采用同层设置,一方面使得与薄膜晶体管的源电极和漏电极同层设置的连接电极仅需要通过贯穿层间介质层的过孔就可以与信号连接线连接,从而降低过孔深度,使得形成过孔时所需要的刻蚀工艺的难度降低。另一方面,信号连接线可以用作过孔的刻蚀阻挡层,避免形成过孔时发生过刻蚀或者少刻蚀的问题,进而改善连接电极与信号连接线的搭接问题,提升产品良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 制备 方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的