[发明专利]金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板在审
申请号: | 202010729818.2 | 申请日: | 2020-07-27 |
公开(公告)号: | CN111769124A | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 刘翔 | 申请(专利权)人: | 成都中电熊猫显示科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 黄溪;刘芳 |
地址: | 610200 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。本发明提供的金属氧化物阵列基板的制造方法依次在衬底基板上沉积栅金属层和缓冲层,在缓冲层上形成半导体图形,在半导体图形上形成薄膜晶体管的源极和漏极,最后在缓冲层上沉积保护层,并在保护层上与扫描线对应的位置设计限位槽,从而在显示面板受到压迫时,有效阻止了隔垫物的滑动,解决了因隔垫物滑动导致的漏光问题。 | ||
搜索关键词: | 金属 氧化物 阵列 制造 方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的