[发明专利]一种具有中间阻挡板的刻蚀设备在审
| 申请号： | 202010729675.5 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN111883460A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 秦小燕 | 申请（专利权）人： | 咸宁恒舟信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23F1/08 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 王熙文 |
| 地址： | 437000 湖北省咸宁市咸宁大道1*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有中间阻挡板的刻蚀设备，包括刻蚀室和蒸汽处理装置；刻蚀室包括下刻蚀室和上刻蚀室；下刻蚀室和上刻蚀室连通；蒸汽处理装置包括固定在上刻蚀室的前后侧壁之间的中间阻挡板；中间阻挡板上成型有若干左右均匀分布的上下贯穿的上窄下宽的等腰梯形状的通气孔；一对相邻的通气孔的下端开口相互靠近的边线重合设置；中间阻挡板左右移动设置有吸取单元；吸取单元包括上挡板和下挡板；上挡板和下挡板同一封闭住同一通气孔的上下开口；下挡板的上端面上设置有下落凹槽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 中间 阻挡 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
