[发明专利]一种具有中间阻挡板的刻蚀设备在审
申请号: | 202010729675.5 | 申请日: | 2020-07-27 |
公开(公告)号: | CN111883460A | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 秦小燕 | 申请(专利权)人: | 咸宁恒舟信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23F1/08 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 王熙文 |
地址: | 437000 湖北省咸宁市咸宁大道1*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 中间 阻挡 刻蚀 设备 | ||
本发明公开了一种具有中间阻挡板的刻蚀设备,包括刻蚀室和蒸汽处理装置;刻蚀室包括下刻蚀室和上刻蚀室;下刻蚀室和上刻蚀室连通;蒸汽处理装置包括固定在上刻蚀室的前后侧壁之间的中间阻挡板;中间阻挡板上成型有若干左右均匀分布的上下贯穿的上窄下宽的等腰梯形状的通气孔;一对相邻的通气孔的下端开口相互靠近的边线重合设置;中间阻挡板左右移动设置有吸取单元;吸取单元包括上挡板和下挡板;上挡板和下挡板同一封闭住同一通气孔的上下开口;下挡板的上端面上设置有下落凹槽。
技术领域
本发明涉及刻蚀设备的技术领域,具体涉及一种具有中间阻挡板的刻蚀设备。
背景技术
阵列基板制造过程,主要分为清洗、成膜、曝光显影、刻蚀、剥离五大工艺。其中刻蚀工艺分为干法刻蚀和湿法刻蚀,湿法刻蚀被广泛用于金属薄膜及氧化物薄膜的刻蚀。湿法刻蚀工艺主要是指采用化学药液对刻蚀物进行去除的一种技术。对待刻蚀的基板进行湿法刻蚀时,通过化学药液与刻蚀物发生化学反应,把未被光刻胶覆盖的薄膜进行去除,从而实现电极图案化。
湿法刻蚀设备通常是利用酸性刻蚀液体通过喷嘴把刻蚀液喷淋到待刻蚀基板表面,与基板表面的膜层发生化学反应,从而达到刻蚀的目的。然而,实际生产过程当中,喷淋和挥发出的刻蚀液液滴会附着在刻蚀设备的盖板上,附着在刻蚀设备盖板上的刻蚀液液滴逐渐累积,形成越来越大的刻蚀液液滴,最终滴落在待刻蚀基板上,导致刻蚀不均,严重影响产品的良率。
发明内容
本发明的目的是现在的刻蚀蒸汽容易凝结形成刻蚀液意外损伤基板的技术问题,提供了一种具有中间阻挡板的刻蚀设备。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种具有中间阻挡板的刻蚀设备,包括刻蚀室和蒸汽处理装置;刻蚀室包括下刻蚀室和上刻蚀室;下刻蚀室和上刻蚀室连通;下刻蚀室和上刻蚀室的前后侧壁分别平齐;上刻蚀室的左右侧壁位于下刻蚀室的外侧;下刻蚀室的左右侧壁与下刻蚀室的下侧壁连接;下刻蚀室的上部设置有刻蚀液喷淋装置;刻蚀液喷淋装置的底部设置有若干喷头;基板设置在下刻蚀室的下部并且位于刻蚀液喷淋装置的正下方;蒸汽处理装置包括固定在上刻蚀室的前后侧壁之间的中间阻挡板;中间阻挡板的左右两端与上刻蚀室的左右侧壁之间分别设置有间隙;中间阻挡板上成型有若干左右均匀分布的上下贯穿的上窄下宽的等腰梯形状的通气孔;一对相邻的通气孔的下端开口的相互靠近的边线重合设置;中间阻挡板左右移动设置有吸取单元;吸取单元包括上挡板和下挡板;上挡板和下挡板同一封闭住同一通气孔的上下开口;下挡板的上端面上设置有下落凹槽;下挡板的底部固定有软性通气管;软性通气管与外部的抽气回收装置连接;上刻蚀室的上侧壁中心设置有出气孔;上刻蚀室的上端面上固定有风机;风机的进风口与出气孔连通。
作为上述技术方案的优选,吸取单元包括一对前后对称设置的连接板;中间阻挡板的前端和后端分别成型有供连接板左右移动设置的移动槽;上刻蚀室的左端面上固定有一对驱动电机;上刻蚀室的左右侧壁之间枢接有一对前后对称设置的左右驱动螺纹杆;左右驱动螺纹杆左右方向穿过相应侧的移动槽;左右驱动螺纹杆的左端与驱动电机相应侧的输出轴固定连接;连接板螺接在相应侧的左右驱动螺纹杆上。
作为上述技术方案的优选,连接板呈倒置的T字形;连接板的水平部固定在下挡板的下落凹槽的侧壁上;连接板的水平部与下挡板的下落凹槽的底面之间设置有间隙。
作为上述技术方案的优选,上刻蚀室的顶面的左部和右部成型有自内向外倾斜向下的倾斜面;下刻蚀室的上端向上延伸为内阻挡板;内阻挡板高于上刻蚀室的下侧壁。
作为上述技术方案的优选,上刻蚀室的下侧壁的左部和右部分别设置有回收管路;回收管路与外部的抽气回收装置连接。
作为上述技术方案的优选,风机的出气口端固定有排气管;排气管与外部的抽气回收装置连接。
作为上述技术方案的优选,下挡板为半圆柱形并且下落凹槽成型为半圆柱槽状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造