[发明专利]一种改善FinFET器件性能的源漏外延形工艺方法在审
| 申请号： | 202010729638.4 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113990753A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善FinFET器件性能的源漏外延形工艺方法，提供Fin器件结构，包括：纵向间隔排列且覆盖有薄型氧化层的多个Fin结构；填充于相邻的Fin结构之间的STI区；位于Fin结构上横向间隔排列的多个栅结构；沉积覆盖栅结构和Fin结构的薄型氧化层的侧墙；刻蚀去除栅结构顶部的侧墙及部分Fin结构的侧墙；刻蚀去除被去除侧墙的Fin结构中露出的部分，形成凹槽；刻蚀去除凹槽侧壁的薄型氧化层，以扩大凹槽体积；在凹槽位置形成外延层结构。本发明形成外延层沟槽后，增加刻蚀去除沟槽侧壁氧化物的工艺，使后续生长外延层的体积增大，从而有利于增加应力，同时降低源漏电阻，因而有利于提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 finfet 器件 性能 外延 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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