[发明专利]一种用于晶片的外延生长的基座、装置及方法有效
| 申请号： | 202010728747.4 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN111599746B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 崔贤斌;金柱炫;张凌云 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 姚勇政;李斌栋 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种用于晶片的外延生长的基座、装置及方法，涉及晶片外延生长领域，所述基座包括圆盘形的底部和从所述底部的周缘凸起的凸起部，所述底部和所述凸起部限定出在所述晶片的外延生长期间固定地承载所述晶片的区域，所述底部的邻近所述晶片的上表面形成有多个上球面凹口，所述底部的背离所述晶片的下表面形成有与所述多个上球面凹口相对的多个下球面凹口，所述多个上球面凹口和所述多个下球面凹口中的每一个的凹入深度小于所述底部的厚度，并且所述多个上球面凹口和所述多个下球面凹口中的每一个与至少一个相对的球面凹口产生交叠以形成将所述底部沿厚度方向贯穿的通道。有效避免了晶片的外延生长中“晕圈”和“自动掺杂”现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 晶片 外延 生长 基座 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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