[发明专利]高压半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010692681.8 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN113948573A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 林文新;林鑫成;胡钰豪;吴政璁;陈秋豪 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 王震宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 高压半导体器件及其形成方法，所述高压半导体器件包括基底，栅极结构、漏极、第一绝缘结构、以及漏极掺杂区。栅极结构设置在基底上。漏极则设置于基底内，并位于栅极结构的一侧。第一绝缘结构设置于基底上，位于栅极结构的下方且部分重叠于栅极结构。漏极掺杂区设置于基底内，位在漏极与第一绝缘结构下方并且具有不连续的一底面。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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