[发明专利]高压半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种高压半导体器件，包含：

一基底；

一栅极结构，设置在所述基底上；

一漏极，设置于所述基底内，且位于所述栅极结构的一侧；

一第一绝缘结构，设置于所述基底上，所述第一绝缘结构位于所述栅极结构下方且部分重叠于所述栅极结构；以及

一漏极掺杂区，设置于所述基底内，位在所述漏极与所述第一绝缘结构下方，且所述漏极掺杂区具有不连续的一底面。

2.如权利要求1所述的一种高压半导体器件，其中，位在所述第一绝缘结构下方的所述漏极掺杂区的深度小于所述漏极掺杂区其他部位的深度。

3.如权利要求1所述的一种高压半导体器件，所述漏极掺杂区还包含：

一第一漏极掺杂区，位在所述漏极与所述第一绝缘结构下方；以及

一第二漏极掺杂区，仅位在所述漏极下方并环绕所述漏极。

4.如权利要求3所述的一种高压半导体器件，其中，所述第一漏极掺杂区在所述基底内的深度大于所述第二漏极掺杂区在所述基底内的深度。

5.如权利要求3所述的一种高压半导体器件，其中，所述第一漏极掺杂区的掺杂浓度小于所述第二漏极掺杂区的掺杂浓度。

6.如权利要求3所述的一种高压半导体器件，其中，所述第二漏极掺杂区的一部分介于所述漏极与所述第一绝缘结构之间。

7.如权利要求3所述的一种高压半导体器件，还包含：

一第三漏极掺杂区设置于所述基底内，介于所述第一漏极掺杂区与所述第二漏极掺杂区之间。

8.如权利要求7所述的一种高压半导体器件，其中，所述第三漏极掺杂区的掺杂浓度介于所述第一漏极掺杂区的掺杂浓度与所述第二漏极掺杂区的掺杂浓度之间。

9.如权利要求7所述的一种高压半导体器件，其中，所述第三漏极掺杂区设置在所述漏极与所述第一绝缘结构下方，位在所述第一绝缘结构下方的所述第三漏极掺杂区的垂直掺杂范围小于位在所述漏极下方的所述第三漏极掺杂区的垂直掺杂范围。

10.如权利要求1所述的一种高压半导体器件，还包含：

一源极，设置于所述基底内，位于所述栅极结构的另一侧；以及

一源极掺杂区，设置于所述基底内，位在所述源极下方。

11.如权利要求10所述的一种高压半导体器件，其中，所述源极掺杂区对称于所述漏极掺杂区。

12.如权利要求10所述的一种高压半导体器件，其中，所述源极掺杂区不对称于所述漏极掺杂区。

13.如权利要求10所述的一种高压半导体器件，还包含：

一第二绝缘结构，设置于所述基底上，所述第一绝缘结构与所述第二绝缘结构分别位在所述源极的两相对侧。

14.如权利要求1所述的一种高压半导体器件，还包含：

一第三绝缘结构，设置于所述基底上，所述第一绝缘结构与所述第三绝缘结构分别位在所述漏极的两相对侧。

15.一种高压半导体器件的形成方法，包含：

提供一基底；

于所述基底上形成一绝缘结构；

于所述基底内形成一漏极掺杂区，所述漏极掺杂区在所述绝缘结构下方具有不连续的一底面；以及

于所述基底上形成一栅极结构。

16.如权利要求15所述的一种高压半导体器件的形成方法，其中，所述栅极结构形成在一部份的所述绝缘结构上。