[发明专利]2D-3D异质结隧道场效应晶体管在审
| 申请号： | 202010691573.9 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN112242440A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 赵成宰 | 申请（专利权）人： | 韩国科学技术院 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张澜;王莹 |
| 地址： | 韩国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种由诸如黑磷或TMDC的、带隙根据厚度而变化的材料制成的2D‑3D HJ‑TFET，以扩展摩尔定律。更特别地，公开了一种2D‑3D HJ‑TFET的结构及其制造方法，其中2D‑3D HJ‑TFET由诸如黑磷或TMDC的材料制成，从而其消耗较少的功率，具有高的开关速度，可以以互补的方式操作以代替传统的CMOS晶体管，并且可以扩展摩尔定律。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 隧道 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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