[发明专利]一种实现基侧模激射的半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010686595.6 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN113948968B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 孙春明;苏建;夏伟;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/12;H01S5/20 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 赵龙群 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种实现基侧模激射的半导体激光器及其制备方法，该半导体激光器包括包括自下到上依次设置的N面电极、衬底、缓冲层、N型限制层、N型波导层、有源区、P型波导层和P型限制层，P型限制层包括本体层和由本体层中间条形区域凸出形成的脊条，脊条上依次设置有接触层和P面电极；P型限制层中脊条的两侧设置有纵向折射率型布拉格光栅，纵向折射率型布拉格光栅为高低间隔分布的周期性结构光栅。本发明通过在半导体激光器侧向采用布拉格光栅来限制光场模式，可实现基模与高阶模之间较大的泄露损耗，高阶模无法形成有效震荡，可在大条宽、大电流下实现基侧模激射，在10μm条宽、2A电流下实现基侧模激射。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 基侧模激射 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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