[发明专利]一种晶圆钝化层缺陷的检测方法有效
| 申请号： | 202010683335.3 | 申请日： | 2020-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN111710618B | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王锐;杨侃诚;王亚波;莫军;李建军 | 申请（专利权）人： | 广芯微电子（广州）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/95 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 510000 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆钝化层缺陷的检测方法，包括以下步骤：(1)设计文件导入阶段中，在晶圆划片槽区域插入检测电路结构；在晶圆WAT测试阶段中，测试晶圆中该检测电路结构的电容前值和电阻前值；(2)将步骤(1)所述晶圆进行压力蒸煮后，对晶圆表面进行清洁；(3)将步骤(2)清洁后的晶圆再次对相同划片槽区域进行WAT测试，得到的电容后值和电阻后值与步骤(1)所得前值进行对比，即可判断晶圆钝化层是否存在缺陷。该方法改善了目前仪器分辨率和检测范围的局限性导致的低钝化层缺陷发现率，降低了抽检过程的漏检率。同时，该检测方法可适用于各尺寸的晶圆上的抽检及晶圆厂中的定期常规检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钝化 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
