[发明专利]一种晶圆钝化层缺陷的检测方法有效
| 申请号： | 202010683335.3 | 申请日： | 2020-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN111710618B | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王锐;杨侃诚;王亚波;莫军;李建军 | 申请（专利权）人： | 广芯微电子（广州）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/95 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 510000 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钝化 缺陷 检测 方法 | ||
1.一种晶圆钝化层缺陷的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)设计文件导入阶段中，在待检测晶圆划片槽区域插入电性检测电路结构；在晶圆的晶圆允收测试中，测试待检测晶圆中该电性检测电路结构的电容前值和电阻前值；所述电性检测电路结构在晶圆的插入密度为设计规则检测允许的最小间隙；
(2)将步骤(1)所述待测晶圆进行压力蒸煮后，对晶圆表面进行清洁；所述压力蒸煮时的温度为120～125℃，湿度为80～90％，压力蒸煮的时间为95～100h；
(3)将步骤(2)清洁后的待测晶圆再次对相同划片槽区域进行晶圆允收测试，得到的电容后值和电阻后值与步骤(1)所得电容前值和电阻前值进行对比，若电阻或/和电容前后数值差异≥5％，则判断对应的钝化层含有缺陷，并统计晶圆钝化层的缺陷率；所述电阻前后数值差异的计算方式为：(电阻前值-电阻后值)/电阻前值×100％；所述电容前后数值差异的计算方式为：|电容前值-电容后值|/电容前值×100％。
2.如权利要求1所述的晶圆钝化层缺陷的检测方法，其特征在于，步骤(1)所述电性检测电路结构为叉指结构；所述叉指结构使用的金属种类与待测晶圆离钝化层最近的顶层金属一致。
3.如权利要求1所述的晶圆钝化层缺陷的检测方法，其特征在于，步骤(2)所述压力蒸煮时的温度为121℃，湿度为85％，压力蒸煮的时间为96h。
4.如权利要求1所述的晶圆钝化层缺陷的检测方法，其特征在于，步骤(2)所述晶圆表面的清洁使用Scrubber洗涤机台洗涤以及氮气喷吹对晶圆表面进行清洁；所述Scrubber洗涤机台洗涤晶圆时的水流量为1.2～1.6L/min，转速为400～600rpm/min，洗涤时间为60～80s。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
