[发明专利]一种用于化合物半导体器件的T型栅制作方法有效
| 申请号： | 202010653753.8 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111933523B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 王振军;王静辉;刘建华;于静;张会坡;班佳宾;周建;贾世杰;路飞;宗力军 | 申请（专利权）人： | 中电科工程建设有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 张明月 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于化合物半导体器件的T型栅制作方法，属于半导体芯片制造技术领域，包括淀积氮化硅介质层，一次光刻制作光刻图形，对光刻图形进行腐蚀，淀积二氧化硅介质层，腐蚀二氧化硅介质层，去胶清洗形成图形，二次光刻形成源漏图形并腐蚀二氧化硅介质层，三次光刻形成源漏图形并腐蚀氮化硅介质层形成源电极及漏电极图形，蒸发钛、铝、钛、金形成源漏电极金属并形成欧姆接触，四次光刻形成栅电极光刻图形并腐蚀氮化硅介质层，蒸发镍、铂、金金属并剥离掉多余的金属形成栅电极金属。本发明通过光学光刻、介质淀积、干法腐蚀和清洗等工艺制作的T型栅，增强了器件的可靠性、提高了MMIC的生产效率，具有重大的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 化合物 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
