[发明专利]一种基于八边形硅片所制作太能电池片及其制作方法在审
申请号: | 202010644554.0 | 申请日: | 2020-07-07 |
公开(公告)号: | CN111952411A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 章伟鹏;杨均炎;张忠卫 | 申请(专利权)人: | 南通苏民新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 226300 江苏省南通*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于八边形硅片所制作太能电池片及其制作方法,制作方法如下:(1)以八边形硅片的4条边对称轴为基准线依次印刷正电极、背电极和背电场;(2)以八边形硅片的角对称轴或边对称轴为切割线,将硅片切割为形状为等腰三角向或直角三角形的切割片;(3)将若干个等腰三角形切割片和直角三角形分割片拼接成矩形太阳能电池片,所述的直角三角形切割片位于拼接后的电池片的两侧。按照本发明的方法进行切割制作组件,制作过程中可以大幅提高组件可利用面,提高单位面积内组件发电功率,降低成本。同时也可以降低组件每个主栅承载的电流量,从而进一步降低电阻提升制作出的组件功率。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 八边形 硅片 制作 电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的