[发明专利]一种低损耗耦合电容器的装置和方法在审
| 申请号： | 202010639643.6 | 申请日： | 2016-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN111933695A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 布莱恩·克瑞德;劳伦斯·科内尔;肯特·耶格;马修·理查德·米勒 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/66;H01L29/93;H01L29/94;H01L27/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种低损耗耦合电容器结构，包括n型变容二极管(NVAR)构造(100)和p型变容二极管(PVAR)构造(200)。所述NVAR构造(100)中的结构包括掺杂p型半导体基板(Psub)(106)、所述Psub(106)中的深度掺杂n型半导体阱(DNW)(105)和所述DNW中的掺杂p型半导体阱(P阱)(104)。所述电路结构还包括P阱(104)内的掺杂p型半导体材料的源极端子(102)和所述P阱(104)中的所述掺杂p型半导体材料的漏极端子(101)。此外，所述电路结构包括在所述P阱(104)的表面上的绝缘栅极(103)，包含多层金属线(107)的金属图案，以及通过所述金属线(107)的多个通孔(108)。所述通孔(108)为将所述金属线(107)连接到所述栅极(103)、所述源极端子(102)和所述漏极端子(101)的接点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 损耗 耦合 电容器 装置 方法 | ||
【主权项】：
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