[发明专利]一种低损耗耦合电容器的装置和方法

权利要求书

1.一种耦合电容器的电路结构，其特征在于，包括：

掺杂p型半导体基板(p-doped semiconductor substrate，Psub)；

所述Psub中的深度掺杂n型半导体阱(deep n-doped semiconductor well，DNW)；

所述DNW中的掺杂p型半导体阱(P阱)；

从所述P阱的表面延伸到所述P阱中的掺杂p型半导体材料的第一块，其中所述第一块为源极端子；

从所述P阱的所述表面延伸到所述P阱中的所述掺杂p型半导体材料的第二块，其中所述第二块为漏极端子；

在所述源极端子和所述漏极端子之间的P阱上的绝缘体块；

在所述源极端子和所述漏极端子之间的所述绝缘体块上的导体材料，其中所述导体材料为栅极；

包括近似平行于所述表面的多层金属线的金属图案，以及穿过所述金属线且垂直于所述金属线的多个通孔，其中所述通孔(接点)将所述金属线连接到所述栅极、所述源极端子和所述漏极端子。

2.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，还包括：

所述DNW中的至少一个第二P阱；

作为第二源极端子的所述掺杂p型半导体材料的另一块，所述第二源极端子从所述第二P阱的表面延伸到所述第二P阱中；

作为第二漏极端子的所述掺杂p型半导体材料的另一块，所述第二漏极端子从所述第二P阱的所述表面延伸到所述第二P阱中；

作为第二栅极的所述导体材料的另一块，所述第二栅极位于所述第二源极端子和所述第二漏极端子之间的所述第二P阱的所述表面，其中所述通孔还将所述金属线连接到所述第二栅极、所述第二源极端子和所述第二漏极端子。

3.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述金属线在所述金属图案的连续层的方向为相互近似垂直。

4.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述金属图案的每层中的所述金属线近似平行。

5.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，每层中的所述金属线包括交替的第一线和第二线，所述第一线通过所述通孔连接到所述栅极，所述第二线通过所述通孔连接到所述源极端子和所述漏极端子。

6.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述DNW比所述P阱掺杂得更多。

7.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述栅极的对端侧壁与所述源极端子和所述漏极端子的侧壁相邻。

8.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述金属图案的多层中的所述金属线拥有不同的尺寸，包括不同间隔、不同宽度、不同深度和不同长度中的至少一个。

9.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，来自所述表面的所述金属图案的高层中的所述金属线比低金属层中的所述金属线具有更大的宽度和更大的间隔。

10.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述栅极和所述源极端子和漏极端子连接至直流(direct current，DC)通孔，所述Psub接地，所述DNW通过电阻器连接至电源。