[发明专利]半导体结构、包括半导体结构的晶体管和制造晶体管的方法在审
| 申请号： | 202010637763.2 | 申请日： | 2020-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN112909073A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 朴永焕;金钟燮 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈芳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体结构包括：衬底；至少一个掩模层，在第一方向上与衬底间隔开；在衬底与至少一个掩模层之间的第一导电类型的第一半导体区域；在至少一个掩模层上的第二导电类型的第二半导体区域；以及在第一半导体区域上的第一导电类型的第三半导体区域。第三半导体区域可以接触第二半导体区域以在不同于第一方向的第二方向上形成PN结结构。该半导体结构可以应用于垂直功率器件，并且能够提高耐受电压性能和降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 包括 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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