[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010634353.2 | 申请日： | 2020-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113889572A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 缪海生;张建栋;冯冰 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件的制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成底层金属层；在所述底层金属层上形成介质层；在所述介质层上形成顶层金属层；对所述顶层金属层进行图形化，以去除电容区域之外的所述顶层金属层，以形成上极板，其中，所述介质层包括层叠设置的绝缘层和改性层，所述改性层位于相邻的所述绝缘层之间，且所述绝缘层的厚度大于所述改性层的厚度。根据本发明实施例可以在保持介质层厚度不变的条件下，提升MIM电容的电性性能，使其可长时间稳定工作于较高电压下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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