[发明专利]有源区、半导体激光器及半导体激光器的制作方法有效
| 申请号： | 202010623679.5 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111711075B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 杨国文;赵勇明;杨皓宇;赵卫东 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/34;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 钟扬飞 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种有源区、半导体激光器及半导体激光器的制作方法，涉及半导体的技术领域。本申请的有源区包括量子阱结构，量子阱结构中势垒层的材料为InGaAlAs，量子阱结构中势阱层的材料为GaAsN。故本申请的势垒层为压应变，势阱层为张应变，两者的应变相互补偿，形成应变补偿的应变量子阱，能够降低应变对外延片内材料体系的影响，提高外延片的质量，使得激光器性能及可靠性均较好。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 半导体激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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