[发明专利]一种双面环形Ge基长波红外和太赫兹探测器和制备方法在审
申请号: | 202010623567.X | 申请日: | 2020-07-01 |
公开(公告)号: | CN111739972A | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 邓惠勇;张祎;殷子薇;窦伟;单玉凤;张宗坤;潘昌翊;戴宁 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种双面环形Ge基长波红外和太赫兹探测器和制备方法,该探测器包括上下二层,每一层由环状的吸收区、中心阻挡区、环状吸收区电极和中心阻挡区电极组成,层与层之间的吸收区和阻挡区电极分别通过欧姆接触串联,制备方法包括五个步骤,即通过光刻、离子注入、热蒸发技术在高阻Ge基底依次形成上吸收区,下吸收区,上电极区,下电极区,以及上下电极串联端。本发明的优点是:双面环形的器件结构有效增强了入射光子吸收和光生电子‑空穴对的产生效率,提高了量子效率,从而提高了传统BIB型光子探测器的探测率,并且与当前的半导体工艺技术相兼容。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 环形 ge 长波 红外 赫兹 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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