[发明专利]替换金属栅极器件结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010620909.2 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN113421926A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 徐民翰;曹荣志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及替换金属栅极器件结构及其制造方法。半导体器件包括半导体鳍和在半导体鳍上方的栅极堆叠。栅极堆叠包括在半导体鳍的沟道区域上方的栅极电介质层，在栅极电介质层上方的功函数材料层，其中功函数材料层包括掺杂剂，以及在功函数材料层上方的栅极电极层。栅极电介质层不含掺杂剂。 | ||
| 搜索关键词： | 替换 金属 栅极 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010620909.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：页面处理方法、装置及电子设备
- 下一篇：一种控制翼子板R棱线光顺性的工艺方法
- 同类专利
- 专利分类
